¼›å·žé«˜é¢‘æ·¬ç«è®‘Ö¤‡å¯šw‡‘属进行感应çƒå¤„ç†æ—Óž¼Œåº”如何é™ä½Žèƒ½è€—?
å‘布旉™—´åQ?022-12-10 03:00:00
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  ¼›å·žé«˜é¢‘æ·¬ç«è®‘Ö¤‡å¯šw‡‘属进行感应çƒå¤„ç†æ—Óž¼Œåº”如何é™ä½Žèƒ½è€—?
  感应çƒå¤„ç†æ˜¯ä¸€¿U新型的节能工艺åQŒä½†æ˜¯é«˜é¢‘æ„Ÿåº”åŠ çƒè®¾å¤‡é€‰æ‹©æˆ–者工艺应用ä¸å½“,ž®×ƒ¼šé€ æˆä¸å¿…è¦çš„工艺电能‹¹ªè´¹ã€‚å› æ¤ï¼Œåº”注æ„以下方é¢ï¼š
  åQ?)选择好ç¦å·žé«˜é¢‘æ·¬ç«è®¾å¤‡çš„频率ã€åŠŸçŽ‡ä¸Ž¾cÕdž‹ã€‚频率覽W¦åˆé€ähå¼åŠ çƒï¼ŒåŠŸçŽ‡è¦æ»¡‘›_Š çƒå‘¨æœŸè¾ƒçŸã€çƒä¼ 导æŸè€—少的原则,¼›å·žé«˜é¢‘æ·¬ç«è®‘Ö¤‡¾cÕdž‹è¦é€‰å˜é¢‘效率高的ã€é‡è¦é…件也è¦è€ƒè™‘。例如固æ€ç”µæºçš„å˜é¢‘效率比电å管高频甉|ºé«˜ï¼Œåœ¨åŒæ ¯‚ƒ½è¾‘Öˆ°äº§å“技术æ¡ä»¶ä¸‹åQŒåº”ž®½å¯èƒ½é€‰ç”¨å›ºæ€ç”µæºï¼Œå›ºæ€ç”µæºä¸æ™¶ä½“½Ž¡ç”µæºæ¯”晉™—¸½Ž¡ç”µæºæ•ˆçŽ‡é«˜åQŒå› æ¤åº”优先选用IGBT或MOSFET甉|ºã€‚ä¸åŒåž‹å·é«˜é¢‘æ„Ÿåº”åŠ çƒè®¾å¤‡å˜åŽ‹å™¨çš„æ•ˆçŽ‡ã€æ°´è€—é‡ä¹Ÿæœ‰å¾ˆå¤§å·®åˆ«åQŒé€‰åž‹æ—¶ä¹Ÿè¦äºˆä»¥æ³¨æ„ã€?/p>
  åQ?)é«˜é¢‘æ„Ÿåº”åŠ çƒè®‘Ö¤‡å·¥ä½œè§„范必须åˆé€‚。电å管高频甉|ºè´Ÿè²è°ƒèŠ‚ä¸å½“åQŒå¦‚é˜Ïxµã€æ …‹¹ä¸åˆé€‚ï¼Œç‰¹åˆ«æ˜¯æ¬ ç”µåŽ‹çŠ¶æ€ä¸‹åQŒæŒ¯è¡ç®¡é˜ÏxžæŸè€—大åQŒåŠ çƒæ•ˆçއé™ä½Žï¼Œè¦é¿å…ï¼›
  åQ?)如果想é…套数æŽ?a href="/protype89814.html" target="_blank">æ·¬ç«æœºåºŠä½¿ç”¨åQŒå¯¹æ•°æŽ§æ·¬ç«æœºåºŠè¦æ±‚是:负貾pÀL•°é«˜ï¼Œ½Iø™¿è½¬æ—¶é—´çŸã€‚能采用多èáuã€å¤šå·¥ä½åŒæ—¶åŠ çƒçš„,优先采用多èáuã€å¤šå·¥ä½¾l“æž„åQŒä»¥å¤§æ‰¹é‡ç”Ÿäº§åŠè½´ç±»é›¶äšgä¸ÞZ¾‹åQŒä¸€‹Æ¡åŠ çƒæ¯”æ‰«ææ·¬ç«æ›´èŠ‚èƒ½ã€?/p>
  åQ?)感应å™?/strong>效率与设计有æžå¤§å…³ç³»åQŒä¼˜è‰¯æ„Ÿåº”器的效率在80%以上åQŒä¸è‰¯ç—‡åº”器的效率在30%ä»¥ä¸‹ã€‚å› æ¤ï¼Œè¦æŠŠå¥½æ„Ÿåº”å™¨è®¾è®¡å’Œåˆ¶é€ è¿™é“å…³åQŒåƈ在生产过½E‹ä¸åQŒä¸æ–进行优化ã€?/p>
  åQ?)¼›å·žé«˜é¢‘æ·¬ç«çš„回ç«åº”ä¼˜å…ˆé‡‡ç”¨è‡ªå›žç«æˆ–感应回ç«ã€?/p>
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